DRAM

삼성전자의 차세대 반도체 초격차 전략을 심층 분석합니다. 구리 배선의 한계를 극복하기 위한 실리콘포토닉스와 CPO 도입 로드맵을 비롯해, 중국 CXMT와의 D램 공정 기술 격차, 그리고 D램 미세화 한계를 돌파하기 위한 4F² 수직 채널 트랜지스터(VCT) D램 개발 현황을 종합적으로 다룹니다. 생성형 AI 고도화에 따른 데이터센터 병목 현상 해소 방안과 메모리반도체 시장의 최신 기술 동향을 확인하세요.